返回第371章 超导芯片  科技入侵现代首页

关灯 护眼     字体:

上一章 目录 下一页

最新网址:m.92yanqing.com

第371章 超导芯片

机器人铺光电板要比人利索多了。

因为穿宇航服的缘故,人类宇航员在铺设过程中,在直播间看,无论是第一视角还是第三视角,你总会觉得这动作很变扭,有种身体不受控制的错觉。

但机器人就要流畅得多,尤其是刚从地球运来的机器人,新东西用起来总是最爽的。

直播间的观众简单来说就是爽,类似于看解压视频的感觉。

一个个光伏板跟种庄稼一样,种下去。

“好爽,我们这进度太快了。”

“这次看,感觉进度飞快啊,华为什么时候能把超导芯片给搞出来?”

“应该快了吧?”

“应该快了,要不是为了超导芯片,应该用不着这么庞大的光伏阵列吧?”

直播间除了讨论机器人装光伏组件外,就在讨论超导芯片什么时候能上。

这可是华国独一份的技术突破。

哪怕这一技术突破还只是停留在构想蓝图上,但简中互联网的网友们早就赢麻了。

不但简中网友赢麻,外国媒体也提前帮华国赢麻。

以印度为例,印度媒体是最爱反思的,尤其爱和华国比。

欧美的报纸可以把这件事视而不见,但印度不行。

从深红出现开始,印度媒体就在反思了:

“我们在科研支出、科研人才密度、大学排名等方面都显著落后于华国,华国拥有类似千人计划、2025制造业这样的国家战略,我们缺乏这类长远规划,在人工智能领域,华国的投入同样远超印度,这是我们之间差距的原因。

印度政府有野心,印度有人工智能领域的人才,但我们国家的风险投资并不愿意支持真正的科技创新,他们只想做科技的搬运工,把阿美莉卡成熟的技术搬回印度。

这样的创新是不可持续的,这也是我们和华国差距的根本所在。”

深红出来的时候,印度的反思会给华国人一种熟悉感,因为华国之前反思和阿美莉卡差距的时候,说辞好像差不多。

但当超导芯片计划公布之后,印度反思就开始脱离理性层面了,动不动就是印度人就是不行,印度就是不行这种情绪抒发上。

在quora上有一篇华裔的回答一语中的:

“印度一直认为他们能和华国比,应该要和华国看齐,孟买要和申海比,新德里要和燕京比,班加罗尔要和鹏城看齐,华国的科技进步格外让他们所关注。

而这次印度围绕超导芯片的集体破防,在印度舆论层面引发了比深红出现更广泛和激烈的讨论,会导致不了解印度的人困惑,超导芯片只停留在理论层面,还没有实物的出现,深红可是实打实用更弱的算力实现了更好的效果,为什么前者还会更能引发印度破防。

对此,我周围有非常多的印度朋友,我认为他们的思考逻辑是,我们和华国是一样的,尽管现在华国比我们领先,但我们没有本质区别,我们都是追赶者的身份。

深红再厉害,它也是gpt的模仿者,哪怕它超过了gpt,它的出现和gpt相差没有多久时间,也许是原创,但在印度人的视角里,你就是模仿,就是抄袭。

所以他们讨论反思还只是停留在一个比较和平理性的层面,但超导芯片是完全没有的产物,是华国首先提出的概念,并且有落地的可能。

这让印度意识到,大家也许不一样,华国也许不是追赶者,华国在科技领域也许正在朝创新者的角色转型,甚至已经成为了创新者的角色。

往更深了聊,印度对自身的定位仍然是依靠欧美资本、欧美技术、欧美市场获得发展的国家,他们觉得华国也是如此,所以大家是竞争关系,你多获得了一些,印度就少获得了一些。

但超导芯片的出现,让印度意识到,好像我们也在接受来自华国的资本、产业和技术输出,这让他们破防了,因为在不知不觉间华国实现了身份地位的转换,但印度还是印度。”

当然围绕超导芯片,不但印度关注,发达国家同样在关注。

这也许关系到下一代的芯片材料。

芯片领域的从业人员都能很直观感受到硅基芯片已经到了一个极限,每往前一步都格外困难,成本上升、良品率下降、各种负面因子开始涌现。

如果不采用更加先进的3d立体结构,硅基芯片这几年就要到头了。

那么华国的低温超导路线到底可不可行,这成为了业界关注的焦点。

月球上能够保证常态低温,能够利用低温来构建超导芯片,在地球上这一点自然是做不到,他们关注的是,低温超导有没有可能会表现出一些有意思的特性,而这些特性是否能指导下一代芯片材料的出现。

超导本身就令人遐想连篇,那么不需要超导,常温常压下的半超导有没有可能呢?

新的环境,新的条件,有可能诞生新的材料。

所以业界格外关注华国超低温超导芯片的最新进展。

当然在华为内部,那就更重视了,调兵遣将,派了最精锐的团队从松山湖调到申海来。

他们第一年主要要做的是验证技术可行性,技术路径早已确定:利用铁基超导体fese薄膜,在srtio3衬底上通过分子束外延生长,实现温度在100k的超导状态,这样的样品理论可行,但实际呢?

在月球上它的表现如何?不仅仅是计算本身,还有稳定性、耗能等等,其他状态到底如何。

他们需要先拿个样品出来。

以阿波罗科技的能力来说,他们前脚有了样品,后脚就能打到月球上去做测试。

月球上的环境什么的都已经准备好了,电能已经具备,阴影区域探索完成,随时可以进行测试。

属于是万事俱备只欠东风。

“吴工,你们那边进度如何?”林燃同样关注这件事,他大概每周会和技术团队开一次会,技术团队由华为和阿波罗科技共建,人员配比大概在7比3的样子。

吴工是这只技术团队的具体负责人,华为半导体条线仅次于梁孟松的资深工程师。

第一个月:“教授,我们从fese入手,母体fese是半导体,tc只有8k,但单层薄膜在界面效应下,能提升到109k。

月球真空环境完美匹配mbe生长,避免氧化。”吴工说

团队的研究员们戴着护目镜,操作着设备:先将srtio3衬底加热到600°c,清洁表面;然后控制铁源和硒源的蒸发速率,铁原子束强度为0.1单层/分钟,硒过量以确保化学计量比。

生长过程中,吴工偶尔纠正参数:“注意衬底温度,过高会导致晶格失配,降低电子-声子耦合,目标厚度是约0.5nm的单原子层。”

在第一个样品生长完成后,他们用x射线衍射(xrd)检查晶体结构:峰值显示良好外延,但电阻测试在液氮浴(77k)中,超导转变温度tc只有50k,远低于预期。

第二个月:“我觉得应该是硒空位缺陷导致的费米面重构不完整,吴工,尝试一下增加后退火步骤,在真空下加热到400°c,促进界面电荷转移。”林燃提醒道“我觉得界面效应会是关键,srtio3的极性层会诱导二维电子气,提升tc。”

本章未完,点击下一页继续阅读。(1 / 2)

『加入书签,方便阅读』

上一章 目录 下一页